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SLM2005S

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申请

SLM2005S Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规认证（zhèng）

典型应用图（tú）

产（chǎn）品概述

SLM2005S 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专（zhuān）有的高压（yā）集（jí）成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输（shū）入（rù）电平与（yǔ）标准CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低支（zhī）持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有（yǒu）高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮（fú）动通道可用于驱动高边配置的N型沟道（dào）功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工（gōng）作电（diàn）压可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自举操（cāo）作设计的浮（fú）动通道

完全运行时电压（yā）高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电（diàn）源范围从 10V 到 20V

欠（qiàn）压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻（luó）辑输入兼容（róng）

驱（qū）动（dòng）电流（liú）：290 mA/600 mA

防止交叉导（dǎo）通逻辑

两（liǎng）通道间匹（pǐ）配传输（shū）延迟

输出信号与输（shū）入信号同相

通过无铅认（rèn）证（zhèng）