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SLM2009

200V低压（yā）驱（qū）动（dòng）芯片

样片（piàn）申请

SLM2009 Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认证

典型应用图

产品概述

SLM2009 是一（yī）款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动（dòng）器。采用专有（yǒu）的高压集（jí）成电路和锁（suǒ）存（cún）免疫（yì）的CMOS技术（shù）可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电（diàn）平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出（chū）驱动器具有高脉冲电（diàn）流（liú）缓冲级，以减小驱动器交叉导（dǎo）通（tōng）。浮动通道可（kě）用于驱动高（gāo）边配置的N型沟道（dào）功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电（diàn）压可高（gāo）达200V。

产品特性

为自举操作设（shè）计（jì）的浮动通（tōng）道

完全（quán）运行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间负电压，不（bú）受（shòu） dV/dt 影响

驱动电源（yuán）范围从 10V 到 18V

欠（qiàn）压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 逻（luó）辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑（jí）

两通道（dào）间匹配（pèi）传输延迟

输出信号与输入信号同相

通（tōng）过无铅认（rèn）证