SLM21867是一款高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低（dī）边（biān）输出驱动信（xìn）号。采用专有的高压集成电路和锁（suǒ）存免疫CMOS技术，提（tí）供可靠的单芯片（piàn）驱动方案（àn）。逻辑输（shū）入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有高脉（mò）冲电流缓（huǎn）冲级，以减小（xiǎo）驱（qū）动器交叉导通。延（yán）时匹配很（hěn）方（fāng）便应用于高频设备。浮（fú）动通道可用于驱动高边（biān）配置的N型（xíng）沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达600V。
为自举供电设计的（de）浮动通道
全电压范围运（yùn）行达600V
低VCC工作（zuò）范围
允许瞬态负电压（yā），不受dV/dt影响（xiǎng）
驱动（dòng）电源范围（wéi）从7V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V逻辑（jí）兼容（róng）
输入（rù）有（yǒu）下拉电阻的COMS斯（sī）密特触发（fā）器
两通道间匹（pǐ）配传输延时
输入输出同（tóng）相
典（diǎn）型开通/关断延（yán）时：170ns/170ns
典型驱动（dòng）电（diàn）流：2.5A/3.5A
400 080 9938
