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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥驱动（dòng）

样片（piàn）申请

SiLM2024 Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认（rèn）证

典型应用（yòng）图

产品概述

SiLM2024 是一款（kuǎn）高（gāo）压（yā）、高速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱（qū）动（dòng）器。采（cǎi）用专（zhuān）有的高压（yā）集成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支（zhī）持（chí）3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有高（gāo）脉冲电流（liú）缓冲（chōng）级，以减小驱动器交叉导通。浮动（dòng）通（tōng）道可用于驱动高边配置（zhì）的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可高达200V。

产品特（tè）性

为自举操（cāo）作设计的浮动通道

完全运行时电（diàn）压高（gāo）达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电源（yuán）范围从（cóng） 10V 到（dào） 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入兼容

驱（qū）动（dòng）电流（liú）：290mA/600mA

典型的开通/关（guān）断延时：680 ns/150 ns

死区时间：520 ns

防止（zhǐ）交（jiāo）叉导通逻辑

两通道间匹配传输延（yán）迟