SiLM2660/61是用于电池充电/放（fàng）电系统控（kòng）制的低（dī）功耗（hào）、高边（biān）N沟道FET驱动器。高边保护功能可避（bì）免（miǎn）系统的接地引脚（jiǎo）断开连接，以确保电池组和主机系（xì）统之间的持续通信。SiLM2660具（jù）有（yǒu）额外（wài）的PFET控制（zhì）输出，以允许对深度放电的电池进行低电流预充电，并且还集成了用于主机监控的电（diàn）池PACK+电压检测（cè）。
独立的使能（néng）输入接口允许电池充电和放电FET分（fèn）别导通（tōng）和关断，为电（diàn）池系统保护提（tí）供可靠性和设（shè）计灵活性。
高边NFET驱动器，具有极（jí）短的开启和关闭时间，用于迅速（sù）保护（hù）电（diàn）池。
预充电PFET驱动器为深度耗（hào）尽（jìn）的（de）电池（chí）组提供电流限（xiàn）制的预充电功能（néng）(仅适用于SiLM2660)。
充电和放（fàng）电的独立使能控制。
基于外（wài）部电容器可扩展的电荷泵，可适用多颗NFET并联驱（qū）动。
高的输入耐压值（zhí）（最大100V）。
可配置的电池组电（diàn）压检测功（gōng）能（仅适用于SiLM2660）。
支持（chí）可配置的通用和独立充电和放电路径管理（lǐ）。
低功耗：正常模式：40uA；待机模式（shì）：小于10uA。
400 080 9938
