BG大游(中国)唯一官方网站

SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护（hù）低（dī）边（biān）门（mén）极（jí）驱动器

样片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产品特（tè）性

安规认证

典型应用图

产品概述

SiLM27511H系列是单通道高（gāo）欠压保护低边门极驱动器（qì），可有效驱动MOSFET和（hé）IGBT等（děng）功率开关。SiLM27511H 采用一种（zhǒng）能够（gòu）从内部极（jí）大的降低（dī）直通（tōng）电流的设计（jì），将高峰值的源电流和灌（guàn）电流脉冲提供给（gěi）电容负载，以实现轨到轨的驱动（dòng）能力和典型值仅（jǐn）为 18ns 的极小（xiǎo）传（chuán）播延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下（xià），能够提供 4A 的峰值（zhí）源电（diàn）流和 5A 的峰值（zhí）灌电流。SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产（chǎn）品（pǐn）特性

低成本的（de）门极驱（qū）动方案可（kě）用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值源（yuán）电流和（hé） 5A 的峰值灌电流能力

快速的传播延（yán）时（典型（xíng）值为 18ns）

快速的上升和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单（dān）电源范围

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容（róng） TTL 和 CMOS 的（de）输入逻辑电压阈值

双输（shū）入设计(可选择（zé）反（fǎn）相或非反相驱动配（pèi）置)

输入（rù）浮空时（shí）输出保持为低

工作温度范围为 -40°C 到 140°C